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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹:
重要參數(shù)歐姆龍OMRON接近開(kāi)關(guān)
E2E-X2MF1 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
E2E-X2MF2 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
E2E-X1R5E 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
E2E-X1R5E 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
E2E-X1R5F 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
E2E-X1R5F2 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
E2E-X4MD1 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
E2E-X4MD2 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
E2E-X2D1-N 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
E2E-X2D2-N 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
E2E-X2E1 歐姆龍光電開(kāi)關(guān)
重要參數(shù)歐姆龍OMRON接近開(kāi)關(guān)
詳情介紹:
重要參數(shù)歐姆龍OMRON接近開(kāi)關(guān)
特性介紹:
歐姆龍接近開(kāi)關(guān)是接近開(kāi)關(guān)中的**,它的特點(diǎn)非常
;三是適應(yīng)性強(qiáng)是,即使面對(duì)惡劣的工作環(huán)境依然可
明顯,一是工作可靠,幾乎很少出現(xiàn)紕漏等情況;二
是使用壽命非常長(zhǎng),能耗上非常低耗,復(fù)定位精度*
以正常是使用。
說(shuō)明:
通過(guò)外部磁場(chǎng)影響,檢測(cè)在導(dǎo)體表面產(chǎn)生的渦電流引
用該方法測(cè)量。振幅變化隨目標(biāo)物金屬種類而不同,
起的磁性損耗。在檢測(cè)線圈內(nèi)使其產(chǎn)生交流磁場(chǎng),并
測(cè)的方式。與電容式接近傳感器相同,電感式接近傳
檢測(cè)體的金屬體產(chǎn)生的渦電流引起的阻抗變化進(jìn)行檢
感器檢測(cè)的被測(cè)物體也是金屬導(dǎo)體,非金屬導(dǎo)體不能
因此檢測(cè)距離也隨目標(biāo)物金屬的種類而不同。
重要參數(shù)歐姆龍OMRON接近開(kāi)關(guān)